BJT，全称为Bipolar Junction Transistor，中文名称为双极结晶体管。它是一种利用少数载流子注入和扩散原理来实现电流控制的半导体器件。BJT由三个掺杂区域组成：发射极、集电极和基极。当电流从发射极流向集电极时，基极起着控制作用，因此BJT也被称为电流放大器。

BJT主要有两种类型：NPN型和PNP型。NPN型BJT由一个P型半导体区域和两个N型半导体区域组成，而PNP型BJT则相反。这两种类型的BJT具有不同的特性和应用。例如，NPN型BJT通常用于放大器和开关电路，而PNP型BJT则常用于达林顿对管和射极跟随器电路。

BJT在电子领域有着广泛的应用，包括：

BJT虽然在电子技术中占有重要地位，但它也存在一些固有的缺点，包括：

为了克服这些缺点，人们开发了新的半导体器件，如场效应晶体管（FET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这些器件具有更低的噪声、更高的温度稳定性和更快的开关速度，因此在许多应用中取代了BJT。