早年经历

张荫梧出生于1927年，江苏苏州人。他从小就对电子学产生了浓厚的兴趣，在中学时便组装出自己的第一部收音机。1946年，他考入清华大学，主修无线电工程。

半导体研究

大学毕业后，张荫梧进入中国科学院物理研究所工作。1958年，他开始着手研究半导体器件。当时，中国在半导体领域还处于起步阶段，几乎所有设备和材料都要依赖进口。

张荫梧和他的团队凭借顽强的毅力和过人的智慧，克服了重重困难，成功研制出了中国第一块锗晶体管和第一块硅晶体管。这标志着中国在半导体领域迈出了具有里程碑意义的一步。

发展半导体产业

随着改革开放的到来，张荫梧敏锐地意识到发展半导体产业的重要性。1980年，他创办了中国第一家半导体公司——无锡江南无线电器材厂。

在张荫梧的带领下，江南无线电器材厂逐渐发展成为中国最大的半导体生产基地之一。他不仅培养了一批杰出的半导体技术人才，还为中国半导体产业的崛起奠定了坚实的基础。

学术成就

张荫梧在半导体领域取得了卓著的成就，发表了数百篇论文和著作。他曾担任中国科学院院士、英国皇家工程院院士等职务，并获得过国家科技进步一等奖、何梁何利科技进步奖等众多荣誉。

晚年生活

退休后，张荫梧仍然心系半导体产业。他积极参与行业学术交流，并为年轻一代科研工作者提供指导和建议。2023年，张荫梧因病去世，享年96岁。